據韓媒報道，韓國芯片巨頭SK海力士準備打破美國對華極紫外（EUV）光刻機出口相關限制，對其中國半導體工廠進行技術提升改造。這被外界解讀為，隨著半導體市場的復蘇以及中國高性能半導體制造能力提升，一些韓國芯片企業(yè)準備采取一切可以使用的方法來提高在華工廠制造工藝水平。

韓國《首爾經濟》13日的報道援引韓國業(yè)內人士的話稱，SK海力士計劃今年將其中國無錫工廠的部分動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）生產設備提升至第四代10納米工藝。對于“無錫工廠將技術升級”的消息，SK海力士方面表示“無法確認工廠的具體運營計劃”。無錫工廠是SK海力士的核心生產基地，產量約占其DRAM總產量的40%。目前，無錫工廠正在生產兩款較舊的10納米DRAM。報道認為，SK海力士對無錫工廠進行技術升級并不容易，因為美國為阻止中國半導體產業(yè)崛起，從2019年開始單方面限制制造尖端半導體必需的EUV光刻機出口中國。

報道稱，隨著全球半導體市場進入復蘇，SK海力士認為高性能芯片產能擴張已經刻不容緩，需要10納米級第四代DRAM或更高版本產品來維持其市場份額。SK海力士總裁郭魯正出席CES展會時表示：“我們自去年以來就地緣政治問題組建了內部工作組，相信企業(yè)風險由此得到很大程度的緩解。”

中國半導體產業(yè)水平迅速提升引發(fā)韓媒高度關注。韓聯(lián)社12日稱，投資銀行巴克萊的分析師在一份報告中稱，中國半導體制造商比外界所認為的要“多得多”。瑞銀集團近期的一份報告稱，雖然美國正用各種方式阻止中國半導體崛起，但中國克服這些限制的能力不容小覷。中國企業(yè)正在加強對主要半導體制造設備的采購以增加供應。去年包括荷蘭阿斯麥集團在內的國際半導體設備生產商來自中國的訂單激增。

（來源：環(huán)球時報）