在科創板上市公司中，有不少是在細分領域掌握關鍵核心技術的“硬科技”企業或處在關鍵技術攻關領域的標桿企業。而在科創板即將上市的“儲備軍”企業的科創底色也不容小覷，它們是各自領域的領跑者。即將登陸科創板的拓荊科技就是其中代表之一。

拓荊科技董秘趙曦日前在接受中國證券報記者采訪時表示，公司將借登陸科創板重要契機，進一步提升科技研發能力，提高產品性能和技術水平，不斷做強主業，將公司打造成半導體制造薄膜沉積設備領軍企業。

技術優勢突出

拓荊科技主要從事高端半導體專用薄膜沉積設備的研發、生產以及技術服務，產品包括等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）設備、原子層沉積（ALD）設備和次常壓化學氣相沉積（SACVD）設備三個產品系列。公司是目前國內唯一一家產業化應用的集成電路PECVD、SACVD設備廠商。

拓荊科技產品已廣泛應用于中芯國際、華虹集團、長江存儲、長鑫存儲、廈門聯芯、燕東微電子等國內晶圓廠14nm及以上制程集成電路制造產線，在不同種類芯片制造產線的多道工藝中得到商業化應用。同時，公司已展開10nm及以下制程產品驗證測試，在研產品已發往國際領先晶圓廠參與其先進制程工藝研發。

薄膜設備的發展支撐集成電路制造工藝向更小制程發展。芯片是微型結構體，其內部結構是3D立體式形態，晶圓襯底上的微米或納米級薄膜構成了制作電路的功能材料層，通過與光刻機、刻蝕機及其他設備的搭配使用，制造出芯片的電路結構。

隨著集成電路制造不斷向更先進工藝發展，單位面積集成的電路規模不斷擴大，芯片內部立體結構日趨復雜，所需要的薄膜層數越來越多，對絕緣介質薄膜、導電金屬薄膜的材料種類和性能參數不斷提出新的要求。

“在90nm CMOS工藝中，大約需要40道薄膜沉積工序。在3nm FinFET工藝產線，超過100道薄膜沉積工序，涉及的薄膜材料由6種增加到近20種，對薄膜顆粒的要求也由微米級提高到納米級。”趙曦說。

薄膜沉積設備技術門檻高，研發難度大。由于薄膜是芯片結構的功能材料層，在芯片完成制造、封測等工序后會留存在芯片中，薄膜的技術參數直接影響芯片性能。

“生產中不僅需要在成膜后檢測薄膜厚度、均勻性、光學系數、機械應力及顆粒度等性能指標，還需要在完成晶圓生產流程及芯片封裝后對最終芯片產品進行可靠性和生命周期測試，以衡量薄膜沉積設備是否最終滿足技術標準。”趙曦表示，下游客戶對薄膜沉積設備技術要求高，新興廠商就需要具備絕對的技術能力來獲取客戶信任。

近年來，拓荊科技不斷強化技術研發，先后承擔多項國家重大科技專項課題，在半導體薄膜沉積設備領域積累了多項研發及產業化的核心技術。其中，薄膜工藝設備設計技術、反應模塊架構布局技術、半導體制造系統高產能平臺技術等核心技術不僅解決了半導體制造中納米級厚度薄膜均勻一致性、薄膜表面顆粒數量少、快速成膜、設備產能穩定高速等關鍵難題，還在保證實現薄膜工藝性能的同時，提升了客戶產線產能，減少客戶產線生產成本。

助力產業鏈發展

拓荊科技聚焦的半導體薄膜沉積設備與光刻機、刻蝕機共同構成芯片制造三大主設備。據了解，薄膜沉積設備作為晶圓制造的三大主設備之一，投資規模占晶圓制造設備總投資的25%。

經過十多年的技術積累，公司已形成覆蓋二十余種工藝型號的薄膜沉積設備產品，可以適配國內最先進的28/14nm邏輯芯片、19/17nm DRAM芯片和64/128層3D NAND FLASH晶圓制造產線，滿足下游集成電路制造客戶對不同材料、不同芯片結構薄膜沉積工序的設備需求。

其中，公司PECVD設備已全面覆蓋邏輯電路、DRAM存儲、FLASH閃存集成電路制造各技術節點產線多種通用介質材料薄膜沉積工序，并研發了LokⅠ、LokⅡ、ACHM、ADCⅠ等先進介質材料工藝，行業地位不斷提升。

作為注冊制改革的“試驗田”和定位于支持“硬科技”產業的融資板塊，科創板成立近三年來，基礎制度不斷完善，上市條件的包容度和適應性不斷提升和增強，吸引了一大批“硬科技”企業選擇到科創板發行融資。

此次拓荊科技登陸科創板募集資金將主要用于開展配適10nm以下制程的PECVD產品研發，開發Thermal ALD和大腔室PE-ALD以及升級SACVD設備，研發12英寸滿足28nm以下制程工藝需要的SACVD設備，并借助募集資金開發中國臺灣市場。

值得一提的是，拓荊科技上市后將在加強產品技術研發的同時，逐步培育和完善國內相關產業鏈。公司通過與國內供應商的深度合作與磨合，推動設備關鍵部件國產化開發及驗證，提高設備零部件的產品品質。同時，公司將利用國產設備廠商的綜合優勢，為客戶提供定向的技術開發與服務，助力半導體產業鏈發展，保障產業鏈的技術先進性。